CMOS面陣X-ray成像技術(shù)

在醫(yī)療，科學(xué)領(lǐng)域中，膠片和模擬方式的X-ray成像技術(shù)已經(jīng)迅速的被數(shù)字化直接成像器件代替，而基于CMOS的X-ray探測(cè)器可以提供更高的分辨率-CMOS半導(dǎo)體wafer可以提供20-100微米的像元尺寸，從而可以幫助醫(yī)生更早的發(fā)現(xiàn)病變，提高患者治愈率，降低治療成本。此外，CMOS技術(shù)與其他數(shù)字化X-ray成像方式相比還具有噪聲低，速度快，動(dòng)態(tài)范圍大等優(yōu)勢(shì)。

CMOS成像技術(shù)特色

1. 噪聲低：相比較其他數(shù)字X-ray成像方式，CMOS探測(cè)器的噪聲低數(shù)倍；

2. 讀出速度快： CMOS技術(shù)采用尋址讀出數(shù)據(jù)方式，數(shù)據(jù)傳輸率超高；

3. 分辨率高： CMOS像元尺寸是數(shù)字成像器件中最小的，可以提供最高的空間分辨率；

4. 灰度實(shí)時(shí)反饋： Dose Sensing技術(shù)，可以實(shí)時(shí)反饋當(dāng)前探測(cè)器接受劑量反饋回去實(shí)時(shí)控制X射線；

5. CMOS技術(shù)通用性： CMOS Wafer在消費(fèi)數(shù)字產(chǎn)品中的使用可以在未來大幅降低成本；

6. 無拖影：CMOS技術(shù)在實(shí)時(shí)顯示時(shí)的拖影百分比僅僅為0.1%，可以忽略不計(jì)